トップ > 最新情報 > 荒井滋久教授が，固体素子・材料国際会議（SSDM）においてSSDM Award 2016を受賞（2016年9月27日）

荒井滋久教授が，固体素子・材料国際会議（SSDM）においてSSDM Award 2016を受賞（2016年9月27日）

受賞2016.09.27

InP基板上に格子整合可能なGaInAsP混晶を活性層とする二重ヘテロ接合半導体レーザを液相エピタキシー法で作製するにあたり、活性層成長後のInPクラッド層成長時に活性層が再溶解する（メルトバック）問題を、薄層のGaInAsP中間層（メルトバック防止層）を挿入した構造を提案・実現し、波長1.1-1.6ミクロンの広範囲にわたり低しきい値電流動作を世界に先駆けて実現したものであり、その後の低損失広帯域光ファイバ通信への足がかりを築いた。