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川那子高暢助教（量子ナノエレクトロニクス研究コア）が，本学の2022年度末松賞を受賞（2022年9月29日）
| 受賞者 | 川那子高暢助教（量子ナノエレクトロニクス研究コア） |
| 受賞先 | 東京工業大学 |
| 賞 | 2022年度末松賞「ディジタル技術の基礎と展開」支援 |
| 研究課題 | エネルギー効率の高いディジタルエレクトロニクスに向けたWSe2 CMOSFETの超低電圧設計とデバイス技術の研究 |
| 受賞日 | 2022年9月29日（木） |
受賞内容
シリコン（Si）半導体に基づくディジタルエレクトロニクスは現代の超高度情報化社会の根幹であり、今後も更なる発展が必要である。しかし性能向上の指導原理である微細化が本質的な限界に達し、微細化が終了すると1年で僅か3%しか性能が向上しない。また情報通信量の急増による半導体素子の消費エネルギーの急激な増加は、地球規模の喫緊の課題である。故にSiに代わる半導体として未結合手が無く、分子層1層でも電子と正孔がSiを超える高い移動度と両極性伝導を示す二セレン化タングステン（WSe2）が注目されている。本研究の目的はWSe2 CMOSFETのデバイス技術の確立と超低電圧動作によるエネルギー効率の高いディジタルエレクトロニクスの実現である。合金及び化合物金属によるソース/ドレイン技術と自己整合型ゲートスタック技術を独自に確立する事により、低電圧0.5V動作でCMOSインバータゲイン15を実証する。
 末松安晴元学長・栄誉教授（前列左端）と受賞した川那子高暢助教（前列左から４人目） |
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